резистор

Используется для ограничения текущего размера. Он создает падение напряжения, препятствуя потоку электронов в соответствии с законом Ома (V=IR). В зависимости от материала ее можно разделить на углеродную пленку, металлическую пленку, проволочную пленку и другие типы. Параметры отмечены сопротивлением (Ом, Ом) и мощностью (Вт, Вт), которые играют роль деления напряжения, ограничения тока и согласования нагрузки в цепи.

Рекомендации по продукту

Добро пожаловать на покупку резисторной продукции, вы можете воспользоваться выгодным соотношением цены и качества и послепродажной гарантией.

Список резисторов

модельКлассификацияразмерСопротивлениевластьТочностьтемпературный коэффициентМинимальное количество упаковкиИнструкции по установкестатус производства
STE1206M1W0R100F резистор 1206 0,1 Ом (100 мР) 1 Вт ±1% ±50 миллионных долей 5000 в производстве
STE1206M1W0R500D резистор 1206 0,5 Ом (500 мР) 1 Вт ±0.5% ±50 миллионных долей 5000 в производстве
MSH2512F3W0R008FU резистор 2512 0,008 Ом (8 мР) 3 Вт ±1% ±50 миллионных долей 4000 в производстве
STE1206M1W0R700F резистор 1206 0,7 Ом (700 мР) 1 Вт ±1% ±50 миллионных долей 5000 в производстве
STE2010M1W5R010F резистор 2010 0,01 Ом (10 мР) 1,5 Вт ±1% ±50 миллионных долей 4000 в производстве
STE2010M1W5R360F резистор 2010 0,36 Ом (360 мР) 1,5 Вт ±1% ±50 миллионных долей 4000 в производстве
МШ2512М2В0Р003Ф резистор 2512 0,003 Ом (3 мР) 2 Вт ±1% ±50 миллионных долей 4000 в производстве
MSTC1206M1W0R001FF резистор 1206 0,001 Ом (1 мР) 1 Вт ±1% ±75 миллионных долей 5000 в производстве
ПМШ2512М3W0R050F резистор 2512 0,05 Ом (50 мР) 3 Вт ±1% ±50 миллионных долей 4000 в производстве
STE1206M1W0R500D резистор 1206 0,5 Ом (500 мР) 1 Вт ±0.5% ±50 миллионных долей 5000 в производстве
HFCL2512M2W0R005F резистор 2512 0,005 Ом (5 мР) 2 Вт ±1% ±50 миллионных долей 5000 в производстве
HTE1206M1W5R001F резистор 0612 0,001 Ом (1 мР) 1,5 Вт ±1% ±100 миллионных долей 5000 в производстве
STE1206M1W0R003F резистор 1206 0,003 Ом (3 мР) 1 Вт ±1% ±50 миллионных долей 5000 в производстве
HTE2512C3W0R012F резистор 1225 0,012 Ом (12 мР) 3 Вт ±1% ±50 миллионных долей 4000 в производстве
HTE2512M3W0R100F резистор 1225 0,1 Ом (100 мР) 3 Вт ±1% ±50 миллионных долей 4000 в производстве
HTE3921M5W0R003F резистор 2139 0,003 Ом (3 мР) 5 Вт ±1% ±100 миллионных долей 2000 в производстве
STE2512C2W0R700F резистор 2512 0,7 Ом (700 мР) 2 Вт ±1% ±50 миллионных долей 4000 в производстве
MSU3921M5W0R001F резистор 3921 0,001 Ом (1 мР) 5 Вт ±1% в производстве
MSU3921M5W0R001F резистор 3921 0,001 Ом (1 мР) 5 Вт ±1% в производстве
HFCL1206M1W0R008F резистор 1206 0,008 Ом (8 мР) 1 Вт ±1% ±50 миллионных долей 5000 в производстве