အီလက်ထရောနစ်ဆားကစ်နှင့်လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာ, ပါဝါနှင့်လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာလယ်ပြင်၌တည်၏ခုခံခြင်းတွက်ချက်မှုသည်အခြေခံကျပြီးဝေဖန်မှုဖြစ်သည်။ ပါဝါနှင့်ခုခံမှုကိုတိကျမှန်ကန်သောတွက်ချက်ခြင်းက circuit ဒီဇိုင်းကိုအကောင်းဆုံးအထောက်အကူပြုရန်သာမကလုံခြုံစိတ်ချရသောလုပ်ငန်းခွင်စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ရေးကိုလည်းအထောက်အကူပြုသည်။ ဤဆောင်းပါးသည်စာဖတ်သူများအားစာဖတ်သူများအားအပြည့်အဝနားလည်ရန်အပြည့်အစုံကိုအပြည့်အဝနားလည်ရန်စွမ်းအားနှင့်ခုခံနိုင်စွမ်းကိုစနစ်တကျမိတ်ဆက်ပေးလိမ့်မည်။
1 ။ အခြေခံသဘောတရားများနှင့်ပါဝါ၏ဖော်မြူလာပါဝါ (P) သည်တစ်ယူနစ်အတွက်လျှပ်စစ်စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းနှုန်းကိုရည်ညွှန်းပြီးယူနစ်သည် Watt (W) ဖြစ်သည်။ Circuit တွင်အာဏာသည်လက်ရှိအလုပ်ကိုမည်မျှလျင်မြန်စွာပြုလုပ်နိုင်သည်ကိုထင်ဟပ်သည်။ အာဏာအတွက်အခြေခံတွက်ချက်မှုဖော်မြူလာသည် -
\ [p = ဦး \ time i \] \ t
သူတို့တွင် ဦး ကဗို့အား (unit volt), volt voltage (volt), ကျွန်ုပ်သည်လက်ရှိ (ယူနစ် amp, a) ဖြစ်သည်။ ဗို့အားနှင့်လက်ရှိကိုတိုင်းတာခြင်းအားဖြင့် circuit ရှိစွမ်းအားကို calcuated လုပ်နိုင်သည်။
2 ။ ခုခံခြင်းနှင့် OHM ၏ဥပဒေနှင့်အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်ခုခံခြင်း (R) သည်အရာဝတ်ထုတစ်ခု၏ပိုင်ဆိုင်မှုကိုလျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုစီးဆင်းမှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းနှင့်၎င်း၏ယူနစ်သည် Ohms (ω) ဖြစ်သည်။ OHM ၏ဥပဒေသည်ခုခံတွက်ချက်မှုအတွက်အခြေခံဖြစ်သည်။
\ [r = \ frac {u} {i} \]
ဆိုလိုသည်မှာခုခံသည်ဗို့အားဗို့အားအချိုးနှင့်ညီမျှသည်။ ဤပုံသေနည်းနှင့်အတူခုခံတန်ဖိုးများကိုတိုင်းတာနှင့် circuit ဝိသေသလက္ခဏာများဆန်းစစ်လေ့လာခြင်းနိုင်ပါတယ်။
3 ။ လက်ရှိပါဝါနှင့်ခုခံအသုံးပြု။ လက်ရှိလက်ရှိတွက်ချက်ပါဝါနှင့်ခုခံရေးဖော်မြူလာများကိုပေါင်းစပ်ခြင်းအားဖြင့်လက်ရှိတွက်ချက်မှုနည်းလမ်းကိုဆင်းသက်လာနိုင်သည်။
\[ P = I^2 \times R \implies I = \sqrt{\frac{P}{R}} \]
ဤဖော်မြူလာသည်အာဏာနှင့်ခုခံအားကိုလူသိများသောအခါ circuit တွင် circuit တွင် circuit တွင်တွက်ချက်ရန်သင့်တော်သည်။
4 ။ အာဏာနှင့်ခုခံ သုံး. ဗို့အားကိုတွက်ချက်ပါအလားတူစွာဗို့အားကိုအာဏာနှင့်ခုခံမှတွက်ချက်နိုင်သည်။
\ [p = \ frac {^ 2} {^ 2} {r} {r} {) = \ sqrt {p \ t ကြိမ်} \]
အထူးသဖြင့်သင့်တော်သောဗို့အားအရင်းအမြစ်ကိုရွေးချယ်သည့်အခါ circuit များကိုဒီဇိုင်းဆွဲသောအခါဤဖော်မြူလာသည်အလွန်အသုံးဝင်သည်။
5 ။ စီးရီးများ၏တွက်ချက်မှုနှင့်နိုင်ရှိရောင်ခြည်အမှန်တကယ် circuit များတွင် Resultors များသည်တစ် ဦး တည်းမတည်ရှိပါ, သို့သော်စီးရီးသို့မဟုတ်အပြိုင်ပေါင်းစပ်နေကြသည်။
စီးရီးခုခံ၏ပေါင်းလဒ်:
\ [{{总} = r_1 + r_2 + \ cdots + R_n \]
အပြိုင်ခုခံ၏ပေါင်းလဒ်:
\ [\ frac {1} {{{{{{{{}} {{} {} {r_1} {1} {R_1} {R_1} {r_1} {r_1} {r_1} {1} {1} {1} {1} {1} {r__1} + \ frac]
ဤတွက်ချက်မှုနည်းစနစ်များကိုကျွမ်းကျင်စေခြင်းကရှုပ်ထွေးသောဆားကစ်များ၏စုစုပေါင်းခုခံအားကိုဆန်းစစ်ရန်ကူညီလိမ့်မည်။
6 ။ လက်တွေ့ကျသော application Powarios သည်ပါဝါနှင့်ခုခံလျှပ်စစ်ဓာတ်အားနှင့်ခုခံအားကိုတွက်ချက်မှုကိုလျှပ်စစ်ပစ္စည်းကိရိယာဒီဇိုင်း, အိမ်ထောင်စုသုံးခြင်းဘေးကင်းလုံခြုံရေးစစ်ဆေးခြင်း, အီလက်ထရောနစ်အစိတ်အပိုင်းရွေးချယ်မှုများတွင်ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည်။
7 ။ ပါဝါတွက်ချက်မှု၏တိကျမှန်ကန်မှုကိုထိခိုက်သောအချက်များအမှန်တကယ်တိုင်းတာမှုများတွင်အပူချိန်, ခုခံပစ္စည်းများပြောင်းလဲခြင်း, အဆက်အသွယ်ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းစသည်ဖြင့်ပါဝါတွက်ချက်မှု၏တိကျမှန်ကန်မှုကိုအကျိုးသက်ရောက်လိမ့်မည်။ မြင့်မားသောပရိယာယ်များနှင့်ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သောတိုင်းတာခြင်းနည်းလမ်းများအသုံးပြုခြင်းသည်ယုံကြည်စိတ်ချရသောတွက်ချက်မှုရလဒ်များကိုသေချာစေရန်အရေးကြီးသောအခြေအနေများဖြစ်သည်။
အာဏာနှင့်ခုခံမှု၏တွက်ချက်မှုဖော်မြူလာများသည် circuit ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းနှင့်ဒီဇိုင်း၏အခြေခံဖြစ်သည်။ OHM ၏ဥပဒေနှင့်စီးရီးများကိုအခြေခံသည့်အခြေခံပုံဖော်မှုနှင့်ယှဉ်ပြိုင်မှုနှင့်အပြိုင်တွက်ချက်မှုနည်းလမ်းကိုနားလည်ခြင်းအားဖြင့်ကျွန်ုပ်တို့သည်လက်တွေ့အင်ဂျင်နီယာတွင်ပြ problems နာများကိုထိရောက်စွာဖြေရှင်းနိုင်သည်။ ဤဖော်မြူလာများကိုကျွမ်းကျင်စေခြင်းသည် circuit ဒီဇိုင်း၏ထိရောက်မှုကိုတိုးတက်စေသည်သာမကလျှပ်စစ်ပစ္စည်းကိရိယာများကိုလုံခြုံအောင်ပြုလုပ်ရန်လည်းဖြစ်သည်။ ဤဆောင်းပါးတွင်ရှင်းပြချက်သည်စာဖတ်သူများသည်စာဖတ်သူများအားပါဝါနှင့်ခုခံမှု၏တွက်ချက်မှုစည်းမျဉ်းစည်းကမ်းများကိုနက်နက်နဲနဲနားလည်စေရန်ကူညီနိုင်မည်ဟုကျွန်ုပ်မျှော်လင့်ပါသည်။
