အီလက်ထရောနစ်ဆားကစ်များနှင့်လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာလယ်ကွင်း,ခုခံခြင်းနှင့်အာဏာသည်အလွန်အရေးကြီးသောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာပမာဏနှစ်ခုဖြစ်သည်။ ခုခံခြင်းနှင့်စွမ်းအင်ကိုမှန်ကန်သောနားလည်မှုနှင့်တွက်ချက်မှုသည် circuit များကိုဒီဇိုင်းဆွဲခြင်း, အစိတ်အပိုင်းများကိုရွေးချယ်ခြင်း, ဤဆောင်းပါးသည်စာဖတ်သူများအားစာဖတ်သူများအားစာဖတ်သူများအားစနစ်တကျမာ 0 န်ဆောင်မှုပေးရန်အတွက်၎င်းဆောင်းပါးသည်ခံနိုင်ရည်နှင့်အာဏာနှင့်သူတို့၏တွက်ချက်မှုဖော်မြူလာများကိုအသေးစိတ်မိတ်ဆက်ပေးလိမ့်မည်။
1 ။ ခုခံ၏အခြေခံသဘောတရားများခုခံမှုသည်လက်ရှိစီးဆင်းမှုအတွက် conductor ၏ခုခံမှုဖြစ်ပြီး၎င်း၏ယူနစ်သည် ohms (ω) ဖြစ်သည်။ ခုခံမှု၏ပမာဏသည်ပစ္စည်း, အရှည်နှင့် Cross-sectional area ရိယာ၏သဘောသဘာဝကဲ့သို့သောအချက်များပေါ်တွင်မူတည်သည်။ ပိုမိုများပြားလာလေလေလက်ရှိကျမ်းပိုဒ်ကိုခုခံနိုင်လေလေ။
2 ။ ခုခံ၏တွက်ချက်မှုဖော်မြူလာခံနိုင်ရည်အတွက်အခြေခံတွက်ချက်မှုပုံသေနည်းမှာ -
\ [r = \ frac {l} {A} \]
၎င်းတို့အနက်, \ (r \) သည် Ohms (ω) တွင်ခုခံနိုင်မှုဖြစ်သည်။ \ (\ rho \) ohms မီတာ (ω m) ရှိပစ္စည်းများ၏ခံနိုင်ရည်သည် (ω m), \ (ဌ \) သည်မီတာ (M) တွင်စပယ်ယာ၏အရှည်ဖြစ်သည်။ \ (a \) သည်စတုရန်းမီတာ (M²) ရှိစပယ်ယာ၏ Cross-section area ရိယာဖြစ်သည်။
ဒီဖော်မြူလာကခုခံနိုင်မှုသည်လက်ချင်းသာ၏အရှည်နှင့်တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း cross-section ရိယာနှင့်လုံးဝအချိုးကျအချိုးကျသည်။
3 ။ Ohm ရဲ့ဥပဒေနှင့်ခုခံအကြားဆက်နွယ်မှုOHM ရဲ့ဥပဒေကဗို့အား, လက်ရှိနှင့်ခုခံအကြားဆက်နွယ်မှုကိုဖော်ပြသည့်အခြေခံဥပဒေဖြစ်သည်။ ပုံသေနည်းမှာ -
\ [v = go \]
ဘယ်မှာ \ (v \) voltage (volts volts), \ (i \) သည်လက်ရှိ (amps, a) နှင့် \ (r \) သည်ခုခံနိုင်မှု (ohms, ω) ဖြစ်သည်။
Ohm ၏ဥပဒေကို သုံး. ခုခံနိုင်မှုကိုဗို့အားနှင့်လက်ရှိမှတွက်ချက်နိုင်သည်။
\ [r = \ frac {v} {i} \]
4 ။ ပါဝါ၏အခြေခံအယူအဆပါဝါသည်တစ်ယူနစ်အချိန်နှုန်းလျှပ်စစ်စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကိုကိုယ်စားပြုသည်သို့မဟုတ်ပြောင်းလဲခြင်းကိုကိုယ်စားပြုသည်။ Circuit တွင်ပါဝါသည်လက်ရှိလည်ပတ်မှုမှတစ်ဆင့်လက်ရှိစီးဆင်းနေသောအလုပ်ကိုထင်ဟပ်စေသည်။
5 ။ Power တွက်ချက်မှုဖော်မြူလာလျှပ်စစ်ဓာတ်အား၏အခြေခံတွက်ချက်မှုပုံသေနည်းသည် -
\ [p = သင် \]
၎င်းတို့အနက်မှ \ (P \) သည် WATTS (W) တွင်ပါဝါဖြစ်သည်။ \ (v \) Volts (v) အတွက် voltage ဖြစ်ပါတယ်; \ (ဈ \) သည် Amperes (က) တွင်လက်ရှိဖြစ်သည်။
OHM ၏ဥပဒေနှင့်ပေါင်းစပ်ပြီးအာဏာကိုခုခံနိုင်စွမ်းနှင့်လက်ရှိနှင့်ဗို့အားဖြင့်အခြားပုံစံများဖြင့်လည်းထုတ်ဖော်ပြောဆိုနိုင်သည်။
\ [p = i ^ 2 r ကို \]
\ [p = \ frac {v ^ 2} {r} \]
6 ။ Resistor ပါဝါရွေးချယ်မှုနှင့်လုံခြုံမှုလက်တွေ့ကျသော application များအရဓာတ်အလွန်အကျွံအပူချိန်ကြောင့်ရောဂါပိုးကိုပျက်စီးစေခြင်းမှကာကွယ်ရန် Resolor ကိုရွေးချယ်ရာတွင် Resolor ကိုရွေးချယ်သောအခါ Resistor ၏မြင့်မားသောအာဏာကိုထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည်။ သတ်မှတ်ထားသောစွမ်းအားသည်တွက်ချက်ထားသည့်ပါဝါထက်ကြီးသင့်သည်။ ဘုံသတ်မှတ်ချက်များသည် 1/4W, 1 / 2W, 1W နှင့်အခြားသတ်မှတ်ချက်များဖြစ်သည်။
7 ။ application နှင့် power တွက်ချက်မှု၏လျှောက်လွှာဇာတ်လမ်းများခုခံခြင်းနှင့်ပါဝါကိုတွက်ချက်မှုတွက်ချက်မှုကို circuit ဒီဇိုင်း, comprounding sefection, အမှားအယွင်းများစစ်ဆေးခြင်းစသည်တို့ကိုကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည်။ ဥပမာအားဖြင့် LED drive circuit တစ်ခုကိုဒီဇိုင်းဆွဲသည့်အခါ,
ခုခံခြင်းနှင့်အာဏာသည် circuit ဒီဇိုင်းအတွက်အဓိက parameters တွေကိုဖြစ်ကြသည်။ ခုခံမှု၏တွက်ချက်မှုပုံစံကို Mastering \ (r = \ rho \ frac {} {}} {a}} {} \) နှင့် Ohm တို့၏ဥပဒေ \ t ပါဝါတွက်ချက်မှုကိုဖော်မြူလာကို formuulas မှတဆင့်အောင်မြင်သည်။ ကျိုးကြောင်းဆီလျော်တွက်ချက်ခြင်းနှင့်ရွေးချယ်ခြင်းကိုရွေးချယ်ခြင်းနှင့်၎င်းတို့၏ပါဝါအဆင့်ဆင့်ကိုရွေးချယ်ခြင်းသည်တိုက်နယ်၏လုံခြုံမှုနှင့်တည်ငြိမ်မှုကိုတိုးတက်စေသည်။ ဤဆောင်းပါး၏မိတ်ဆက်ခြင်းသည်စာဖတ်သူများအားခုခံခြင်းနှင့်ပါဝါတို့၏တွက်ချက်မှုဗဟုသုတကိုပိုမိုနားလည်သဘောပေါက်ရန်နှင့်ကျင့်သုံးရန်ကူညီနိုင်လိမ့်မည်ဟုကျွန်ုပ်မျှော်လင့်ပါသည်။
